2012年5月8日，推进利用TSV(硅通孔)的三维层叠型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，软件行业巨头美国微软已加盟该协会。

　　HMC是采用三维构造，在逻辑芯片上沿垂直方向叠加多个DRAM芯片，然后通过TSV连接布线的技术。HMC的最大特征是与既有的DRAM相比，性能可以得到极大的提升。提升的原因有二，一是芯片间的布线距离能够从半导体封装平摊在主板上的传统方法的“cm”单位大幅缩小到数十μm～1mm;二是一枚芯片上能够形成1000～数万个TSV，实现芯片间的多点连接。